Descripción
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9E1T0BW |
| Capacidad | – 1TB |
| Interfaz | – PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
| Tamaño | – M.2 (2280) |
| Rendimiento | – Lectura: 5.000 MB/s – Escritura: 4.200 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): 680.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): 800.000 IOPS – Lectura aleatoria (4KB, QD1): 20.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD1): 90.000 IOPS |
| Características | – Samsung V-NAND TLC – Compatible con S.M.A.R.T – Soporte TRIM – Soporte Modo Suspensión en dispositivo – Durabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) – Golpes: 1.500 G ó 0.5 metros Dimensiones y peso – 80 x 22 x 2.38 mm – Max. 9 g |
| Fecha de revisión | 10-04-2024 por RTY |
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